Trung Quốc 70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP Renesas Electronics America Inc

70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP Renesas Electronics America Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Cổng kép, đồng bộ
Trung Quốc IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM
Trung Quốc S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Tập đoàn bán dẫn Cypress

S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Tập đoàn bán dẫn Cypress

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH-NAND
Trung Quốc MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - DDR2
Trung Quốc W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electronics

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electronics

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - DDR3
Trung Quốc W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electronics

W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electronics

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Công nghệ Infineon

CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Công nghệ Infineon

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Không đồng bộ
Trung Quốc CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC trên bán kính

CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC trên bán kính

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
Trung Quốc 7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Renesas Electronics America Inc

7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Renesas Electronics America Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Cổng kép, không đồng bộ
Trung Quốc AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Công nghệ vi mạch

AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Công nghệ vi mạch

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EPROM
Công nghệ: EPROM - OTP
26 27 28 29 30 31 32 33