W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electronics

Hàng hiệu Winbond Electronics
Số mô hình W631GG8KB-11
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1
Giá bán Based on current price
chi tiết đóng gói túi chống tĩnh và hộp bìa
Thời gian giao hàng 3-5 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán T/T
Khả năng cung cấp Trong kho

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ Bay hơi Định dạng bộ nhớ DRAM
Công nghệ SDRAM - DDR3 Kích thước bộ nhớ 1Gbit
tổ chức bộ nhớ 128M x 8 Giao diện bộ nhớ song song
Tần số đồng hồ 933 MHz Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang -
Thời gian truy cập 20 giây Điện áp - Cung cấp 1.425V ~ 1.575V
Nhiệt độ hoạt động 0°C ~ 95°C (TC) Loại lắp đặt Mặt đất
Bao bì / Vỏ 78-TFBGA Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp 78-WBGA (10,5x8)
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number Description
W631GU8NB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB15I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB09I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB09I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB15I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8NB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB11I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB09I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB09I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-15 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-12 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-11 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-09 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-09 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB-15 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-12 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-11 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-09 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-15 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB-12 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-11 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-09 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-09 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB15I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GG8NB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB12I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8NB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB11I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB11I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB09I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB09I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8MB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8AB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8AB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8AB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 78WBGA
W632GU8KT-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8MB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB11J IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB11J IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-11 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8MB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB09J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB15J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB15J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB12J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB09J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB15J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB12J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB15J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
Để lại lời nhắn
Part Number Description
Mô tả sản phẩm

Chi tiết sản phẩm

Mô tả chung

W631GG6KB là một bit 1G DDR3 SDRAM, được tổ chức như 8,388,608 từ x 8 ngân hàng x 16 bit. Thiết bị này đạt được tốc độ truyền tốc độ cao lên đến 1866 Mb / sec / pin (DDR3-1866) cho các ứng dụng khác nhau. W631GG6KB được sắp xếp thành các cấp tốc độ sau: -11,- 12, 12I, 12A, 12K -15, 15I, 15A và 15K. Mức độ tốc độ -11 phù hợp với thông số kỹ thuật DDR3-1866 (13-13-13).Các cấp tốc độ 12A và 12K phù hợp với thông số kỹ thuật DDR3-1600 (11-11-11) (thể loại công nghiệp 12I được đảm bảo hỗ trợ -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C). Các cấp tốc độ -15, 15I, 15A và 15K phù hợp với thông số kỹ thuật DDR3-1333 (9-9-9) (thể loại công nghiệp 15I được đảm bảo hỗ trợ -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).

Các đặc điểm

Nguồn cung cấp điện: VDD, VDDQ = 1,5V ± 0,075V
¢ Kiến trúc tỷ lệ dữ liệu kép: hai chuyển dữ liệu mỗi chu kỳ đồng hồ
8 ngân hàng nội bộ để hoạt động đồng thời
kiến trúc prefetch 8 bit
CAS Latency: 6, 7, 8, 9, 10, 11 và 13
¢ Chế độ bùng nổ dài 8 (BL8) và bùng nổ cắt 4 (BC4): cố định thông qua đăng ký chế độ (MRS) hoặc có thể chọn trên máy bay (OTF)
¢ Lệnh đọc bùng phát có thể lập trình: nối tiếp hoặc chích
️ Bi-directional, phân số dữ liệu strobes (DQS và DQS #) được truyền / nhận dữ liệu

DLL sắp xếp các chuyển đổi DQ và DQS với đồng hồ
Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CK và CK#)
Các lệnh được nhập vào mỗi cạnh CK tích cực, dữ liệu và mặt nạ dữ liệu được tham chiếu đến cả hai cạnh của một cặp sợi phích dữ liệu khác biệt (tỷ lệ dữ liệu gấp đôi)
️ Đăng CAS với độ trễ phụ gia có thể lập trình (AL = 0, CL - 1 và CL - 2) để cải thiện hiệu quả giao thông lệnh, địa chỉ và dữ liệu
Đọc độ trễ = độ trễ bổ sung cộng với độ trễ CAS (RL = AL + CL)
️ Chức năng tự động sạc trước cho các lần đọc và ghi
Đổi mới, tự làm mới, tự động tự làm mới (ASR) và tự làm mới mảng một phần (PASR)

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính Giá trị thuộc tính
Nhà sản xuất Winbond Electronics
Nhóm sản phẩm Bộ nhớ IC
Dòng -
Bao bì Bao bì thay thế khay
Hộp gói 78-TFBGA
Nhiệt độ hoạt động 0 °C ~ 95 °C (TC)
Giao diện Cùng nhau
Dòng điện áp 1.425 V ~ 1.575 V
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp 78-WBGA (10.5x8)
Khả năng ghi nhớ 1G (128M x 8)
Loại bộ nhớ DDR3 SDRAM
Tốc độ 933MHz
Mô hình-ký ức RAM

Mô tả

SDRAM - Bộ nhớ DDR3 IC 1Gb (128M x 8) Song song 933MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78 pin WBGA