Trung Quốc CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Công nghệ Infineon

CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Công nghệ Infineon

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Không đồng bộ
Trung Quốc AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Đức GmbH

AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Đức GmbH

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: TỐC BIẾN
Trung Quốc 93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Công nghệ vi mạch

93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Công nghệ vi mạch

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
Trung Quốc IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - DDR3
Trung Quốc MT48LC16M16A2B4-7E CNTT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2B4-7E CNTT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM
Trung Quốc 7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 Renesas Electronics America Inc

7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 Renesas Electronics America Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Cổng kép, không đồng bộ
Trung Quốc AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.

AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM
Trung Quốc 71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT SONG SONG 44TSOP II Renesas Electronics America Inc

71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT SONG SONG 44TSOP II Renesas Electronics America Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Không đồng bộ
Trung Quốc 24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Công nghệ vi mạch

24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Công nghệ vi mạch

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
Trung Quốc BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Rohm bán dẫn

BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Rohm bán dẫn

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
22 23 24 25 26 27 28 29