Trung Quốc 70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronics America Inc

70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronics America Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Cổng kép, không đồng bộ
Trung Quốc FM25L16B-GTR IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC Infineon Technologies

FM25L16B-GTR IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC Infineon Technologies

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: FRAM
Công nghệ: FRAM (RAM sắt điện)
Trung Quốc CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA Tập đoàn bán dẫn Cypress

CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA Tập đoàn bán dẫn Cypress

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Đồng bộ, QDR II
Trung Quốc MT25QL128ABA8E12-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

MT25QL128ABA8E12-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP Công nghệ vi mạch

AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP Công nghệ vi mạch

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EPROM
Công nghệ: EPROM - OTP
Trung Quốc 24LC64T-E/MNY IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN Công nghệ vi mạch

24LC64T-E/MNY IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN Công nghệ vi mạch

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
Trung Quốc S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA Công nghệ Infineon

S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA Công nghệ Infineon

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc.

IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Không đồng bộ
Trung Quốc RC28F320C3TA110 IC FLASH 32MBIT PAR 64EASYBGA Intel

RC28F320C3TA110 IC FLASH 32MBIT PAR 64EASYBGA Intel

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - Khối khởi động
Trung Quốc S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Công nghệ Infineon

S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Công nghệ Infineon

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
27 28 29 30 31 32 33 34