Trung Quốc MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - DDR2
Trung Quốc W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA Winbond Electronics

W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA Winbond Electronics

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Công nghệ Infineon

S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Công nghệ Infineon

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc MR2A16ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 Everspin Technologies Inc.

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: ĐẬP
Công nghệ: MRAM (RAM từ trở)
Trung Quốc M29W320EB70ZE6E IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc MT29C1G12MAACAEAMD-6 IC CNTT FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.

MT29C1G12MAACAEAMD-6 IC CNTT FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: Không dễ bay hơi, dễ bay hơi
Định dạng bộ nhớ: FLASH, RAM
Công nghệ: FLASH - NAND, LPDRAM di động
Trung Quốc AS7C256B-15PIN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Alliance Memory, Inc.

AS7C256B-15PIN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Alliance Memory, Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Không đồng bộ
Trung Quốc W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Winbond Electronics

W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Winbond Electronics

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - DDR2
Trung Quốc S25FL256SAGNFI003 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON Công nghệ Infineon

S25FL256SAGNFI003 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON Công nghệ Infineon

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc BR24G16FVJ-3AGTE2 IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ

BR24G16FVJ-3AGTE2 IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
12 13 14 15 16 17 18 19