Tất cả sản phẩm
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | SRAM |
| Công nghệ: | SRAM |
BR24S256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Rohm bán dẫn
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | EEPROM |
| Công nghệ: | EEPROM |
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc.
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | DRAM |
| Công nghệ: | SDRAM - LPDDR di động |
MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA Micron Technology Inc.
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | TỐC BIẾN |
| Công nghệ: | FLASH-NAND |
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | DRAM |
| Công nghệ: | SDRAM - DDR4 |
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | DRAM |
| Công nghệ: | SDRAM - DDR |
SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSON Công nghệ vi mạch
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | TỐC BIẾN |
| Công nghệ: | TỐC BIẾN |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64LBGA Micron Technology Inc.
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | TỐC BIẾN |
| Công nghệ: | FLASH - CŨNG KHÔNG |
IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | SRAM |
| Công nghệ: | SRAM - Không đồng bộ |
IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc.
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | SRAM |
| Công nghệ: | SRAM - Không đồng bộ |