Tất cả sản phẩm
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.
WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com
Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.
xThông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ | Bay hơi | Định dạng bộ nhớ | DRAM |
---|---|---|---|
Công nghệ | SDRAM - DDR4 | Kích thước bộ nhớ | 4Gbit |
tổ chức bộ nhớ | 1Gx4 | Giao diện bộ nhớ | song song |
Tần số đồng hồ | 1,2 Ghz | Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang | - |
Thời gian truy cập | - | Điện áp - Cung cấp | 1,14V ~ 1,26V |
Nhiệt độ hoạt động | 0°C ~ 95°C (TC) | Loại lắp đặt | Mặt đất |
Bao bì / Vỏ | 78-TFBGA | Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp | 78-FBGA (9x10,5) |
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT40A1G4RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT41K512M8RH-107:E TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 IT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 M:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-107 IT:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8RH-107:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 IT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 M:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 V:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 XIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 AAT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 M AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 V:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-062E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A1G4RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G4RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-062E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G4RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA |
Mô tả sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
Mô tả
Những bộ giảm điện áp tạm thời 1500 watt này cung cấp khả năng xử lý điện năng chỉ được tìm thấy trong các gói lớn hơn.Chúng thường được sử dụng để bảo vệ chống lại các biến động từ môi trường chuyển đổi cảm ứng hoặc các hiệu ứng sét thứ cấp được kích thích như được tìm thấy ở mức sóng thấp hơn của IEC61000-4-5Với thời gian phản ứng rất nhanh, chúng cũng có hiệu quả trong việc bảo vệ chống lại ESD hoặc EFT.Các tính năng của gói Powermite® bao gồm một đáy kim loại hoàn toàn loại bỏ khả năng bị mắc kẹt của lưu lượng hàn trong quá trình lắp rápChúng cũng cung cấp một thanh khóa độc đáo hoạt động như một thùng tản nhiệt tích hợp.cảm ứng ký sinh trùng được giảm thiểu để giảm quá mức điện áp trong thời gian tăng nhanh.
Các đặc điểm
• Bao bì gắn bề mặt hồ sơ rất thấp (1.1mm)• Các tab khóa bể tản nhiệt tích hợp
• Tương thích với thiết bị chèn tự động
• đáy kim loại hoàn toàn loại bỏ sự mắc kẹt luồng
• Phạm vi điện áp từ 5V đến 170V
• Có sẵn trong cả một hướng hoặc hai hướng (cụm C cho hai hướng)
Đánh giá tối đa
• Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C• Nhiệt độ lưu trữ: -55°C đến +150°C
• Sức mạnh xung đỉnh 1500 Watt (10 / 1000 μsec)
• Điện áp phía trước: 200 Amps ở 8,3 ms (không bao gồm cả hai hướng)
• Tỷ lệ tăng lặp lại (điều kiện nhiệm vụ): 0,01%
• Kháng nhiệt: 2.5 °C / watt kết nối với tab 130 °C / watt kết nối với môi trường xung quanh với dấu chân được khuyến cáo
• Nhiệt độ chì và gắn: 260°C trong 10 giây
Ứng dụng / Lợi ích
• Bảo vệ tạm thời từ sét• Bảo vệ tạm thời chuyển đổi cảm ứng
• Dấu chân nhỏ
• Khả năng cảm ứng ký sinh trùng rất thấp để vượt quá điện áp tối thiểu
• Phù hợp với IEC61000-4-2 và IEC61000-4-4 cho bảo vệ ESD và EFT tương ứng và IEC61000-4-5 cho các mức tăng áp được xác định ở đây
Thông số kỹ thuật
Thuộc tính | Giá trị thuộc tính |
---|---|
Nhà sản xuất | Micron Technology Inc. |
Nhóm sản phẩm | Bộ nhớ IC |
Dòng | - |
Bao bì | Thẻ |
Hộp gói | 78-TFBGA |
Nhiệt độ hoạt động | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
Giao diện | Cùng nhau |
Dòng điện áp | 1.14 V ~ 1.26 V |
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp | 78-FBGA (9x10.5) |
Khả năng ghi nhớ | 4G (1G x 4) |
Loại bộ nhớ | DDR4 SDRAM |
Tốc độ | 18ns |
Mô hình-ký ức | RAM |
Mô tả
SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (1G x 4) song song 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5)
Chip DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78 pin FBGA
Sản phẩm khuyến cáo