Tất cả sản phẩm
S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Công nghệ Infineon
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | TỐC BIẾN |
| Công nghệ: | FLASH - CŨNG KHÔNG |
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | DRAM |
| Công nghệ: | SDRAM - DDR |
AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Germany GmbH
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | TỐC BIẾN |
| Công nghệ: | TỐC BIẾN |
PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | TỐC BIẾN |
| Công nghệ: | FLASH - CŨNG KHÔNG |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc.
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | SRAM |
| Công nghệ: | SRAM - Đồng bộ, DDR II |
S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Công nghệ Infineon
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | TỐC BIẾN |
| Công nghệ: | FLASH - CŨNG KHÔNG |
CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Công nghệ Infineon
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | NVSRAM |
| Công nghệ: | NVSRAM (SRAM không bay hơi) |
AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Công nghệ vi mạch
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | EPROM |
| Công nghệ: | EPROM - OTP |
BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ Rohm bán dẫn
| Loại bộ nhớ: | không bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | EEPROM |
| Công nghệ: | EEPROM |
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT SONG SONG 44SOJ Renesas Electronics America Inc
| Loại bộ nhớ: | Bay hơi |
|---|---|
| Định dạng bộ nhớ: | SRAM |
| Công nghệ: | SRAM - Không đồng bộ |