AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Germany GmbH

[adesto]

Mô tả

AT45DB041E là bộ nhớ Flash truy cập tuần tự với giao diện hàng loạt tối thiểu 1,65V lý tưởng cho nhiều ứng dụng thoại kỹ thuật số, hình ảnh, mã chương trình và lưu trữ dữ liệu.AT45DB041E cũng hỗ trợ giao diện hàng loạt RapidS cho các ứng dụng yêu cầu hoạt động tốc độ rất cao4 giờ.194,304 bit bộ nhớ được tổ chức thành 2.048 trang 256 byte hoặc 264 byte mỗi. Ngoài bộ nhớ chính, AT45DB041E cũng chứa hai bộ đệm SRAM 256/264 byte.Các bộ đệm cho phép nhận dữ liệu trong khi một trang trong bộ nhớ chính đang được lập trình lại.
Việc nối liền giữa cả hai bộ đệm có thể làm tăng đáng kể khả năng của hệ thống để ghi một luồng dữ liệu liên tục.và mô phỏng E2PROM (sự thay đổi bit hoặc byte) có thể dễ dàng được xử lý với một hoạt động đọc-sửa đổi-viết ba bước độc lập.

Đặc điểm

● Điện tích đơn 1.65V - 3.6V
● Trình giao diện ngoại vi (SPI) tương thích
● Hỗ trợ chế độ SPI 0 và 3
● Hỗ trợ hoạt động RapidSTM
● Khả năng đọc liên tục qua toàn bộ mảng
● Tối đa 85MHz
● Tùy chọn đọc năng lượng thấp lên đến 15 MHz
● Thời gian đồng hồ đến đầu ra (tV) tối đa 6ns
● Kích thước trang có thể cấu hình bởi người dùng
● 256 byte mỗi trang
● 264 byte mỗi trang (bên định)
● Kích thước trang có thể được cấu hình trước tại nhà máy cho 256 byte
● Hai bộ đệm dữ liệu SRAM hoàn toàn độc lập (256/264 byte)
● Cho phép nhận dữ liệu trong khi lập trình lại mảng bộ nhớ chính
● Các tùy chọn lập trình linh hoạt
● Byte/Page Program (1 đến 256/264 byte) trực tiếp vào bộ nhớ chính
● Buffer Write
● Buffer đến chương trình trang bộ nhớ chính
● Tùy chọn xóa linh hoạt
● Xóa trang (256/264 byte)
● Xóa khối (2KB)
● Xóa khu vực (64KB)
● Xóa chip (4-Mbits)
● Lập trình và xóa Đặt/tiếp tục
● Các tính năng bảo vệ dữ liệu phần cứng và phần mềm tiên tiến
● Bảo vệ từng lĩnh vực
● Khóa từng lĩnh vực để làm cho bất kỳ lĩnh vực nào chỉ đọc mãi
● Đăng ký bảo mật 128 byte, có thể lập trình một lần (OTP)
● 64 byte được lập trình bằng một mã nhận dạng duy nhất
● 64 byte người dùng lập trình
● Các tùy chọn thiết lập lại được điều khiển bằng phần cứng và phần mềm
● JEDEC tiêu chuẩn Nhà sản xuất và ID thiết bị đọc
● Phân hao năng lượng thấp
● 400nA Ultra-Deep Power-Down hiện tại (thường)
● 3μA Điện năng lượng sâu (thường)
● Điện dự phòng 25μA (thường)
● Điện tích đọc hoạt động 7mA (thường là @ 15 MHz))
● Độ bền: tối thiểu 100.000 chu kỳ chương trình/xóa mỗi trang
● Lưu trữ dữ liệu: 20 năm
● Phù hợp với toàn bộ phạm vi nhiệt độ công nghiệp
● Các lựa chọn bao bì xanh (không có Pb / Halogen / phù hợp với RoHS)
● SOIC 8 chì (0,150" rộng và 0,208" rộng)
● 8-pad siêu mỏng DFN (5 x 6 x 0.6mm)
● 8 quả bóng Wafer Level Chip Scale Package
● Chụp dưới dạng Wafer ((1)