Trung Quốc IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc.

IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Không đồng bộ
Trung Quốc MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA Micron Technology Inc.

MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH-NAND
Trung Quốc MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc.

MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH-NAND
Trung Quốc R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronics America Inc

R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronics America Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM
Trung Quốc M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc.

M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc.

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: ĐẬP
Công nghệ: MRAM (RAM từ trở)
Trung Quốc FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-DÂY 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd

FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-DÂY 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
Trung Quốc 71V25761S166PFG8 IC SRAM 4,5 MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc

71V25761S166PFG8 IC SRAM 4,5 MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Đồng bộ, SDR
Trung Quốc MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT SONG SONG 44SOP Macronix

MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT SONG SONG 44SOP Macronix

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA Winbond Electronics

W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA Winbond Electronics

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - DDR2
1 2 3 4 5 6 7 8