Tất cả sản phẩm
W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA Winbond Electronics
| Hàng hiệu | Winbond Electronics |
|---|---|
| Số mô hình | W9725G8KB-25 TR |
| Số lượng đặt hàng tối thiểu | 1 |
| Giá bán | Based on current price |
| chi tiết đóng gói | túi chống tĩnh và hộp bìa |
| Thời gian giao hàng | 3-5 ngày làm việc |
| Điều khoản thanh toán | T/T |
| Khả năng cung cấp | Trong kho |
Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.
WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com
Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.
xThông tin chi tiết sản phẩm
| Loại bộ nhớ | Bay hơi | Định dạng bộ nhớ | DRAM |
|---|---|---|---|
| Công nghệ | SDRAM - DDR2 | Kích thước bộ nhớ | 256Mbit |
| tổ chức bộ nhớ | 32M x 8 | Giao diện bộ nhớ | song song |
| Tần số đồng hồ | 200 MHz | Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang | 15ns |
| Thời gian truy cập | 400 giây | Điện áp - Cung cấp | 1.7V ~ 1.9V |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C ~ 85°C (TC) | Loại lắp đặt | Mặt đất |
| Bao bì / Vỏ | 60-TFBGA | Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp | 60-WBGA (8x12.5) |
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9725G8KB-25 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-18 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
| W9725G8KB25I TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9725G8KB-18 | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
| W9725G8KB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8NB25I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB-25 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB-25 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8NB25I | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
| W971GG8JB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB25I | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8JB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8KB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W971GG8SB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB-25 TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
| W9751G8KB25I TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA |
Mô tả sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
Mô tả chung
W9725G8JB là một 256M bit DDR2 SDRAM, tổ chức như 8,388,608 từ x 4 ngân hàng x 8 bit. Thiết bị này đạt được tốc độ truyền tốc độ cao lên đến 1066Mb / sec / pin (DDR2-1066) cho các ứng dụng chung. W9725G8JB được sắp xếp thành các cấp độ tốc độ sau: -18, -25,25I và -3. -18 phù hợp với DDR2-1066 (7-7-7) thông số kỹ thuật.Các -25/25I phù hợp với thông số kỹ thuật DDR2-800 (5-5-5) hoặc DDR2-800 (6-6-6) (đại loại công nghiệp 25I được đảm bảo hỗ trợ -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C). -3 phù hợp với DDR2-667 (5-5-5) thông số kỹ thuật.
Các đặc điểm
• Nguồn cung cấp điện: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• Kiến trúc tỷ lệ dữ liệu kép: hai chuyển dữ liệu mỗi chu kỳ đồng hồ
• CAS Latency: 3, 4, 5, 6 và 7
• Độ dài: 4 và 8
• Bi-directional, phân số dữ liệu strobes (DQS và DQS) được truyền / nhận với dữ liệu
• Định hướng cạnh với dữ liệu đọc và trung tâm với dữ liệu ghi
• DLL sắp xếp các chuyển đổi DQ và DQS với đồng hồ
• Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CLK và CLK)
• Mặt nạ dữ liệu (DM) để ghi dữ liệu.
• Các lệnh được nhập vào mỗi cạnh CLK tích cực, dữ liệu và mặt nạ dữ liệu được tham chiếu đến cả hai cạnh của DQS
• Đăng CAS có thể lập trình độ trễ bổ sung hỗ trợ để làm cho lệnh và bus dữ liệu hiệu quả
• Đọc độ trễ = độ trễ bổ sung cộng với độ trễ CAS (RL = AL + CL)
• Điều chỉnh trở ngại ngoài chip (OCD) và On-Die-Termination (ODT) để có chất lượng tín hiệu tốt hơn
• Hoạt động tự động sạc sẵn cho đọc và ghi
• Chế độ tự động và tự làm mới
• Tắt điện sạc trước và tắt điện hoạt động
• Viết Data Mask
• Viết độ trễ = Đọc độ trễ - 1 (WL = RL - 1)
• Giao diện: SSTL_18
• Được đóng gói trong WBGA 60 Ball (8X12.5 mm2), sử dụng vật liệu không có chì phù hợp với RoHS
Thông số kỹ thuật
| Thuộc tính | Giá trị thuộc tính |
|---|---|
| Nhà sản xuất | Winbond Electronics |
| Nhóm sản phẩm | Bộ nhớ IC |
| Dòng | - |
| Bao bì | Bao bì thay thế băng và cuộn (TR) |
| Hộp gói | 60-TFBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | 0 °C ~ 85 °C (TC) |
| Giao diện | Cùng nhau |
| Dòng điện áp | 1.7V ~ 1.9V |
| Bao bì thiết bị của nhà cung cấp | 60-WBGA (8x12.5) |
| Khả năng ghi nhớ | 256M (32M x 8) |
| Loại bộ nhớ | DDR2 SDRAM |
| Tốc độ | 2.5ns |
| Mô hình-ký ức | RAM |
Mô tả
SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (32M x 8) Song song 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 60-pin WBGA
Sản phẩm khuyến cáo
