MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ Micron Technology Inc.

Mô tả chung

Các thiết bị Micron NAND Flash bao gồm một giao diện dữ liệu không đồng bộ cho các hoạt động I / O hiệu suất cao.Có năm tín hiệu điều khiển được sử dụng để thực hiện giao diện dữ liệu không đồng bộ: CE#, CLE, ALE, WE#, và RE#. Các tín hiệu bổ sung kiểm soát bảo vệ viết phần cứng và giám sát trạng thái thiết bị (R / B #).
Giao diện phần cứng này tạo ra một thiết bị số pin thấp với một kiểu pin tiêu chuẩn vẫn giống nhau từ mật độ này sang mật độ khác, cho phép nâng cấp trong tương lai đến các liên kết mật độ cao hơn mà không cần thiết kế lại bảng.
Mục tiêu là đơn vị bộ nhớ được truy cập bởi tín hiệu kích hoạt chip.Một chip flash NAND là đơn vị tối thiểu có thể tự thực hiện lệnh và báo cáo trạng thái. Một chip flash NAND, trong thông số kỹ thuật ONFI, được gọi là đơn vị logic (LUN). Có ít nhất một chip flash NAND flash cho mỗi tín hiệu kích hoạt.xem Thiết bị và tổ chức mảng.
Thiết bị này có một ECC nội bộ 4 bit có thể được kích hoạt bằng các tính năng GET/SET.
Xem nội bộ ECC và bản đồ khu vực dự phòng cho ECC để biết thêm thông tin.

Đặc điểm

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 phù hợp1
• Công nghệ tế bào một cấp (SLC)
• Tổ chức
Kích thước trang x8: 2112 byte (2048 + 64 byte)
️ Kích thước trang x16: 1056 từ (1024 + 32 từ)
Kích thước khối: 64 trang (128K + 4K byte)
- Kích thước máy bay: 2 máy bay x 2048 khối trên mỗi máy bay
Kích thước thiết bị: 4Gb: 4096 khối; 8Gb: 8192 khối 16Gb: 16.384 khối
• Hiệu suất I/O không đồng bộ
TRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• Hiệu suất mảng
Đọc trang: 25μs 3
Trang chương trình: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3
️ Khối xóa: 700μs (TYP)
• Bộ lệnh: ONFI NAND Flash Protocol
• Bộ lệnh nâng cao
Chế độ cache trang chương trình4
Đọc trang cache chế độ 4
Chế độ lập trình một lần (OTP)
– Two-plane commands 4
¢ Các hoạt động đệm đệm (LUN)
Đọc ID duy nhất
Khóa khối (chỉ 1.8V)
Di chuyển dữ liệu nội bộ
• Byte tình trạng hoạt động cung cấp phương pháp phần mềm để phát hiện
️ Hoàn thành hoạt động
Điều kiện vượt qua / thất bại
️ Tình trạng bảo vệ ghi
• tín hiệu Ready/Busy# (R/B#) cung cấp một phương pháp phần cứng để phát hiện hoàn thành hoạt động
• WP# tín hiệu: Viết bảo vệ toàn bộ thiết bị
• Khối đầu tiên (địa chỉ khối 00h) là hợp lệ khi vận chuyển ra khỏi nhà máy với ECC. Đối với ECC tối thiểu cần thiết, xem Quản lý lỗi.
• Khối 0 yêu cầu ECC 1-bit nếu chu kỳ PROGRAM/ERASE ít hơn 1000
• Cần thiết lập lại (FFh) như lệnh đầu tiên sau khi bật điện
• Phương pháp thay thế của thiết bị khởi tạo (Nand_In nó) sau khi bật lên (công ty liên lạc)
• Hoạt động di chuyển dữ liệu nội bộ được hỗ trợ trong mặt phẳng mà dữ liệu được đọc
• Chất lượng và độ tin cậy
¢ Lưu trữ dữ liệu: 10 năm
¢ Độ bền: 100.000 chu kỳ PROGRAM/ERASE
• Phạm vi điện áp hoạt động
VCC: 2.7V 3.6V
VCC: 1,7V1,95V
• Nhiệt độ hoạt động:
️ Thương mại: 0 °C đến +70 °C
Công nghiệp (IT): 40oC đến + 85oC
• Gói
️ 48 pin TSOP loại 1, CPL2
VFBGA 63 quả bóng