IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

Hàng hiệu ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Số mô hình IS43TR85120A-15HBL-TR
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1
Giá bán Based on current price
chi tiết đóng gói túi chống tĩnh và hộp bìa
Thời gian giao hàng 3-5 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán T/T
Khả năng cung cấp Trong kho

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ Bay hơi Định dạng bộ nhớ DRAM
Công nghệ SDRAM - DDR3 Kích thước bộ nhớ 4Gbit
tổ chức bộ nhớ 512M x 8 Giao diện bộ nhớ song song
Tần số đồng hồ 667 MHz Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang 15ns
Thời gian truy cập 20 giây Điện áp - Cung cấp 1.425V ~ 1.575V
Nhiệt độ hoạt động 0°C ~ 95°C (TC) Loại lắp đặt Mặt đất
Bao bì / Vỏ 78-TFBGA Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp 78-TWBGA (9x10,5)
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number Description
IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-15HBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-15HBLI-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-15HBLI IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-125KBL IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-125KBLI IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-125KBLI-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-125KBL-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-125KBL IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-125KBLI IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-125KBL-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-15HBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-15HBLI IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-15HBLI-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-125KBLI-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-093NBLI IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120AL-107MBLA2-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-107MBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-107MBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120AL-125KBLA1-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-107MBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-093NBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-107MBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120A-125KBLA2 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS46TR85120AL-125KBLA2 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120AL-107MBLI IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120A-125KBLA2-TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS46TR85120AL-125KBLA1 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
IS43TR85120A-093NBL IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120A-093NBLI-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS43TR85120AL-107MBLI-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
IS46TR85120AL-107MBLA2 IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA
Để lại lời nhắn
Part Number Description
Mô tả sản phẩm

Chi tiết sản phẩm

Các đặc điểm

● Điện áp tiêu chuẩn: VDD và VDDQ = 1,5V ± 0,075V
● Điện áp thấp (L): VDD và VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- Khả năng tương thích ngược với 1.5V
● Tốc độ truyền dữ liệu tốc độ cao với tần số hệ thống lên đến 1066 MHz
● 8 ngân hàng nội bộ để hoạt động đồng thời
● Kiến trúc 8n-Bit pre-fetch
● Độ trễ CAS có thể lập trình
● Độ trễ bổ sung có thể lập trình: 0, CL-1, CL-2
● Tạm thời ghi CAS có thể lập trình (CWL) dựa trên tCK
● Độ dài bùng phát có thể lập trình: 4 và 8
● Lưu trình bùng nổ có thể lập trình được: Lưu trình hoặc trộn
● Chuyển BL ngay lập tức
● Tự cập nhật tự động (ASR)
● Nhiệt độ tự làm mới (SRT)
● Khoảng thời gian làm mới:
7.8 us (8192 chu kỳ/64 ms) Tc= -40°C đến 85°C
3.9 us (8192 chu kỳ / 32 ms) Tc= 85 °C đến 105 °C
● Tự làm mới một phần mảng
● Kích pin RESET không đồng bộ
● TDQS (Termination Data Strobe) được hỗ trợ (chỉ x8)
● OCD (sự điều chỉnh trở ngại của trình điều khiển ngoài chip)
● ODT động (On-Die Termination)
● Sức mạnh của trình điều khiển: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Viết leveling
● Tối đa 200 MHz trong chế độ tắt DLL
● Nhiệt độ hoạt động:
Thương mại (TC = 0 °C đến +95 °C)
Công nghiệp (TC = -40 °C đến +95 °C)
Ô tô, A1 (TC = -40 °C đến +95 °C)
Ô tô, A2 (TC = -40 °C đến +105 °C)

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính Giá trị thuộc tính
Nhà sản xuất ISSI
Nhóm sản phẩm Bộ nhớ IC
Dòng -
Bao bì Bao bì thay thế băng và cuộn (TR)
Hộp gói 78-TFBGA
Nhiệt độ hoạt động 0 °C ~ 70 °C (TA)
Giao diện Cùng nhau
Dòng điện áp 1.425 V ~ 1.575 V
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp 78-TWBGA (9x10.5)
Khả năng ghi nhớ 4G (512M x 8)
Loại bộ nhớ DDR3 SDRAM
Tốc độ 667MHz
Mô hình-ký ức RAM

Mô tả

SDRAM - DDR3 Bộ nhớ IC 4Gb (512M x 8) Song song 667MHz 20ns 78-TWBGA (9x10.5)