Tất cả sản phẩm
Người liên hệ : Zhao
Số điện thoại : +8613724359686
WhatsApp : +8618018788085

W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Winbond Electronics

  • W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Winbond Electronics
Hàng hiệu Winbond Electronics
Số mô hình W631GG6KB-12
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1
Giá bán Based on current price
chi tiết đóng gói túi chống tĩnh và hộp bìa
Thời gian giao hàng 3-5 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán T/T
Khả năng cung cấp Trong kho

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ Bay hơi Định dạng bộ nhớ DRAM
Công nghệ SDRAM - DDR3 Kích thước bộ nhớ 1Gbit
tổ chức bộ nhớ 64M x 16 Giao diện bộ nhớ song song
Tần số đồng hồ 800 MHz Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang -
Thời gian truy cập 20 giây Điện áp - Cung cấp 1.425V ~ 1.575V
Nhiệt độ hoạt động 0°C ~ 85°C (TC) Loại lắp đặt Mặt đất
Bao bì / Vỏ 96-TFBGA Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp 96-WBGA (9x13)
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number Description
W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 96WBGA
W632GG6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB15J IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15J IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
Để lại lời nhắn
Part Number Description
Mô tả sản phẩm

Chi tiết sản phẩm

Mô tả chung

W631GG6KB là một bit 1G DDR3 SDRAM, được tổ chức như 8,388,608 từ x 8 ngân hàng x 16 bit. Thiết bị này đạt được tốc độ truyền tốc độ cao lên đến 1866 Mb / sec / pin (DDR3-1866) cho các ứng dụng khác nhau. W631GG6KB được sắp xếp thành các cấp tốc độ sau: -11,- 12, 12I, 12A, 12K -15, 15I, 15A và 15K. Mức độ tốc độ -11 phù hợp với thông số kỹ thuật DDR3-1866 (13-13-13).Các cấp tốc độ 12A và 12K phù hợp với thông số kỹ thuật DDR3-1600 (11-11-11) (thể loại công nghiệp 12I được đảm bảo hỗ trợ -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C). Các cấp tốc độ -15, 15I, 15A và 15K phù hợp với thông số kỹ thuật DDR3-1333 (9-9-9) (thể loại công nghiệp 15I được đảm bảo hỗ trợ -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).

Các đặc điểm

Nguồn cung cấp điện: VDD, VDDQ = 1,5V ± 0,075V
¢ Kiến trúc tỷ lệ dữ liệu kép: hai chuyển dữ liệu mỗi chu kỳ đồng hồ
8 ngân hàng nội bộ để hoạt động đồng thời
kiến trúc prefetch 8 bit
CAS Latency: 6, 7, 8, 9, 10, 11 và 13
¢ Chế độ bùng nổ dài 8 (BL8) và bùng nổ cắt 4 (BC4): cố định thông qua đăng ký chế độ (MRS) hoặc có thể chọn trên máy bay (OTF)
¢ Lệnh đọc bùng phát có thể lập trình: nối tiếp hoặc chích
️ Bi-directional, phân số dữ liệu strobes (DQS và DQS #) được truyền / nhận dữ liệu
 Edge-aligned with read data and center-aligned with write data
DLL sắp xếp các chuyển đổi DQ và DQS với đồng hồ
Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CK và CK#)
Các lệnh được nhập vào mỗi cạnh CK tích cực, dữ liệu và mặt nạ dữ liệu được tham chiếu đến cả hai cạnh của một cặp sợi phích dữ liệu khác biệt (tỷ lệ dữ liệu gấp đôi)
️ Đăng CAS với độ trễ phụ gia có thể lập trình (AL = 0, CL - 1 và CL - 2) để cải thiện hiệu quả giao thông lệnh, địa chỉ và dữ liệu
Đọc độ trễ = độ trễ bổ sung cộng với độ trễ CAS (RL = AL + CL)
️ Chức năng tự động sạc trước cho các lần đọc và ghi
Đổi mới, tự làm mới, tự động tự làm mới (ASR) và tự làm mới mảng một phần (PASR)
 Precharged Power Down and Active Power Down

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính Giá trị thuộc tính
Nhà sản xuất Winbond Electronics
Nhóm sản phẩm Bộ nhớ IC
Các loại Các kết nối hình chữ nhật - Mảng, loại cạnh, Mezzanine (Board to Board)
Nhà sản xuất Hirose Electric Co Ltd
Dòng IT1
Bao bì Thẻ
Tình trạng một phần Hoạt động
Loại kết nối Mô-đun, liên lạc dải trung tâm
Số lượng vị trí 252 Vị trí
Động cơ 0.020" (0.50mm)
Số hàng 2 hàng
Loại gắn -
Đặc điểm Hai mặt
Contact-Finish Vàng
Độ dày kết thúc liên lạc -
Độ cao xếp chồng -
Chiều cao trên tàu -

Mô tả

SDRAM - Bộ nhớ DDR3 IC 1Gb (64M x 16) Song song 800MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96 pin WBGA
thẻ:

IC bộ nhớ flash ổn định

IC bộ nhớ flash không dễ bay hơi

IC bộ nhớ flash SPI