MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

Hàng hiệu Micron Technology Inc.
Số mô hình MT41K256M8DA-125:K
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1
Giá bán Based on current price
chi tiết đóng gói túi chống tĩnh và hộp bìa
Thời gian giao hàng 3-5 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán T/T
Khả năng cung cấp Trong kho

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ Bay hơi Định dạng bộ nhớ DRAM
Công nghệ SDRAM-DDR3L Kích thước bộ nhớ 2Gbit
tổ chức bộ nhớ 256M x 8 Giao diện bộ nhớ song song
Tần số đồng hồ 800 MHz Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang -
Thời gian truy cập 13,75 ns Điện áp - Cung cấp 1.283V ~ 1.45V
Nhiệt độ hoạt động 0°C ~ 95°C (TC) Loại lắp đặt Mặt đất
Bao bì / Vỏ 78-TFBGA Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp 78-FBGA (8x10,5)
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Để lại lời nhắn
Part Number Description
Mô tả sản phẩm

Chi tiết sản phẩm

[MCL]

CW TWT LAB AMPLIFIER băng thông rộng

Đối với thử nghiệm radar, EMC và EW

Bộ khuếch đại băng thông rộng MT4100 được tận dụng xung quanh kiến trúc MT4000 TWT đã được chứng minh trên thực địa.

Thiết kế mô-đun, bao bì nhỏ gọn và hiệu quả, MT4100 sẽ thể hiện độ tin cậy vượt trội.

Các đặc điểm:

Khả năng chẩn đoán rộng rãi
Thiết kế nhiệt tiên tiến
Kích thước nhỏ gọn
Làm mát qua ống dẫn
Hoạt động yên tĩnh

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính Giá trị thuộc tính
Nhà sản xuất Micron Technology Inc.
Nhóm sản phẩm Bộ nhớ IC
Dòng -
Bao bì Bao bì thay thế khay
Hộp gói 78-TFBGA
Nhiệt độ hoạt động 0 °C ~ 95 °C (TC)
Giao diện Cùng nhau
Dòng điện áp 1.283 V ~ 1.45 V
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp 78-FBGA (8x10.5)
Khả năng ghi nhớ 2G (256M x 8)
Loại bộ nhớ DDR3L SDRAM
Tốc độ 800MHz
Mô hình-ký ức RAM
Mfr Micron Technology Inc.
Gói Thẻ
Tình trạng sản phẩm Hoạt động
Loại bộ nhớ Khả năng bay hơi
Định dạng bộ nhớ DRAM
Công nghệ SDRAM - DDR3L
Kích thước bộ nhớ 2Gb (256M x 8)
Memory-Interface Cùng nhau
Tần số đồng hồ 800 MHz
Viết chu kỳ thời gian từ trang -
Thời gian truy cập 13,75 ns
Dòng điện áp 1,283V ~ 1,45V
Loại gắn Mặt đất
Hộp gói 78-TFBGA
Số sản phẩm cơ bản MT41K256M8

Thành phần tương thích chức năng

Hình thức, Bao bì,Điều kiện tương thích chức năng

Phần của nhà sản xuất# Mô tả Nhà sản xuất So sánh
H5TQ2G83CFR-H9C
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE và ROHS COMPATIVE, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K so với H5TQ2G83CFR-H9C
MT41K256M8DA-125IT:K
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, không có chì, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-125IT:K
H5TQ2G83FFR-PBC
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE và ROHS COMPATIVE, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83CFR-PBC
H5TC2G83CFR-PBA
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE và ROHS COMPATIVE, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K so với H5TC2G83CFR-PBA
MT41K256M8DA-125:M
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, không có chì, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-125:M
MT41K256M8DA-107:K
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, không có chì, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-107:K
H5TQ2G83DFR-RDC
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE và ROHS COMPATIVE, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-RDC
H5TQ2G83EFR-PBC
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE và ROHS COMPATIVE, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K so với H5TQ2G83EFR-PBC
H5TQ2G83DFR-PBC
Bộ nhớ
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE và ROHS COMPATIVE, FBGA-78 SK Hynix Inc MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-PBC

Mô tả

SDRAM - DDR3L Bộ nhớ IC 2Gb (256M x 8) Song song 800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)
Chip DRAM DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78 pin FBGA