Tất cả sản phẩm
Người liên hệ : Zhao
Số điện thoại : +8613724359686
WhatsApp : +8618018788085

MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc.
Hàng hiệu Micron Technology Inc.
Số mô hình MT47H128M16RT-25E:C TR
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1
Giá bán Based on current price
chi tiết đóng gói túi chống tĩnh và hộp bìa
Thời gian giao hàng 3-5 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán T/T
Khả năng cung cấp Trong kho

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ Bay hơi Định dạng bộ nhớ DRAM
Công nghệ SDRAM - DDR2 Kích thước bộ nhớ 2Gbit
tổ chức bộ nhớ 128M x 16 Giao diện bộ nhớ song song
Tần số đồng hồ 400 MHz Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang 15ns
Thời gian truy cập 400 giây Điện áp - Cung cấp 1.7V ~ 1.9V
Nhiệt độ hoạt động 0°C ~ 85°C (TC) Loại lắp đặt Mặt đất
Bao bì / Vỏ 84-TFBGA Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp 84-FBGA (9x12,5)
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number Description
MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
IS43DR16640B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 L:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 L:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-3:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-3:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AAT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
MT47H64M16HR-25 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16PK-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E XIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
Để lại lời nhắn
Part Number Description
Mô tả sản phẩm

Chi tiết sản phẩm

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 32 Meg x 4 x 8 ngân hàng
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 ngân hàng
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 ngân hàng

Đặc điểm

• VDD = 1,8V ± 0,1V, VDDQ = 1,8V ± 0,1V
• Tiêu chuẩn JEDEC 1.8V I / O (SSTL_18 tương thích)
• Tùy chọn phân số dữ liệu (DQS, DQS#)
• Kiến trúc prefetch 4n-bit
• Tùy chọn nhấp nháy đầu ra trùng lặp (RDQS) cho x8
• DLL để điều chỉnh chuyển đổi DQ và DQS với CK
• 8 ngân hàng nội bộ để hoạt động đồng thời
• Độ trễ CAS có thể lập trình (CL)
• Thời gian trễ CAS (AL)
• Lưu trễ ghi = Lưu trễ đọc - 1 tCK
• Độ dài bùng nổ có thể lựa chọn (BL): 4 hoặc 8
• Sức mạnh ổ dẫn dữ liệu đầu ra có thể điều chỉnh
• 64ms, 8192 chu kỳ làm mới
• Kết thúc khi chết (ODT)
• Tùy chọn nhiệt độ công nghiệp (IT)
• Tùy chọn nhiệt độ ô tô (AT)
• Phù hợp với RoHS
• Hỗ trợ thông số kỹ thuật jitter đồng hồ JEDEC

Thông số kỹ thuật

Thuộc tínhGiá trị thuộc tính
Nhà sản xuấtMicron Technology Inc.
Nhóm sản phẩmBộ nhớ IC
Dòng-
Bao bìBao bì thay thế băng và cuộn (TR)
Hộp gói84-TFBGA
Nhiệt độ hoạt động0 °C ~ 85 °C (TC)
Giao diệnCùng nhau
Dòng điện áp1.7V ~ 1.9V
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp84-FBGA (9x12.5)
Khả năng ghi nhớ2G (128M x 16)
Loại bộ nhớDDR2 SDRAM
Tốc độ2.5ns
Mô hình-ký ứcRAM

Mô tả

SDRAM - Bộ nhớ DDR2 IC 2Gb (128M x 16) 400MHz song song 400ps 84-FBGA (9x12.5)
thẻ:

IC bộ nhớ flash ổn định

IC bộ nhớ flash không dễ bay hơi

IC bộ nhớ flash SPI