DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Hàng hiệu Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Số mô hình DS1245AB-70+
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1
Giá bán Based on current price
chi tiết đóng gói túi chống tĩnh và hộp bìa
Thời gian giao hàng 3-5 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán T/T
Khả năng cung cấp Trong kho

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ không bay hơi Định dạng bộ nhớ NVSRAM
Công nghệ NVSRAM (SRAM không bay hơi) Kích thước bộ nhớ 1Mbit
tổ chức bộ nhớ 128K x 8 Giao diện bộ nhớ song song
Tần số đồng hồ - Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang 70ns
Thời gian truy cập 70 giây Điện áp - Cung cấp 4,75V ~ 5,25V
Nhiệt độ hoạt động 0 °C ~ 70 °C (TA) Loại lắp đặt Qua lỗ
Bao bì / Vỏ Mô-đun 32-DIP (0,600", 15,24mm) Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp 32-EDIP
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number Description
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-150+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-100# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-85+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-85+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-150 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-85 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-85 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-150 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-85 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-85IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-150 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-150+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
Để lại lời nhắn
Part Number Description
Mô tả sản phẩm

Chi tiết sản phẩm

Mô tả

DS1245 1024k Nonvolatile SRAM là1,048, 576-bit, hoàn toàn tĩnh, SRAM không dễ bay hơi tổ chức như 131.072 từ trên 8 bit.Mỗi NV SRAM hoàn chỉnh có một nguồn năng lượng lithium tự cung cấp và mạch điều khiển liên tục giám sát VCC cho một điều kiện vượt quá dung nạpKhi tình trạng như vậy xảy ra, nguồn năng lượng lithium tự động bật và bảo vệ ghi được bật vô điều kiện để ngăn chặn sự hỏng dữ liệu.Thiết bị DS1245 DIP-package có thể được sử dụng thay thế cho RAM tĩnh 128k x 8 hiện có trực tiếp phù hợp với tiêu chuẩn DIP 32-pin phổ biếnCác thiết bị DS1245 trong gói PowerCap Module được gắn trực tiếp trên bề mặt và thường được ghép với một DS9034PC PowerCap để tạo thành một mô-đun SRAM không biến động hoàn chỉnh.Không có giới hạn về số lượng chu kỳ ghi có thể được thực hiện và không cần thêm mạch hỗ trợ cho giao diện vi xử lý.

Các đặc điểm

■ 10 năm lưu trữ dữ liệu tối thiểu khi không có nguồn điện bên ngoài
■ Dữ liệu được tự động bảo vệ trong trường hợp mất điện
■ Thay thế 128k x 8 bộ nhớ RAM tĩnh dễ bay hơi, EEPROM hoặc Flash
■ Chu kỳ ghi không giới hạn
■ CMOS năng lượng thấp
■ Thời gian truy cập đọc và ghi 70 ns
■ Nguồn năng lượng lithium được ngắt điện để giữ độ tươi cho đến khi sử dụng điện lần đầu tiên
■ Phạm vi hoạt động VCC đầy đủ ± 10% (DS1245Y)
■ Tùy chọn ± 5% phạm vi hoạt động VCC (DS1245AB)
■ Phạm vi nhiệt độ công nghiệp tùy chọn từ -40 °C đến +85 °C, được chỉ định IND
■ Gói DIP 32 chân tiêu chuẩn của JEDEC
■ PowerCap Module (PCM)
- Mô-đun gắn trực tiếp trên bề mặt
- PowerCap có thể thay thế cung cấp pin lithium dự phòng
- Pinout tiêu chuẩn cho tất cả các sản phẩm SRAM không dễ bay hơi
#NAME?

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính Giá trị thuộc tính
Nhà sản xuất Maxim tích hợp
Nhóm sản phẩm Bộ nhớ IC
Dòng DS1245AB
Bao bì Bơm
Phong cách lắp đặt Qua lỗ
Hộp gói Mô-đun 32-DIP (0.600", 15.24mm)
Nhiệt độ hoạt động 0 °C ~ 70 °C (TA)
Giao diện Cùng nhau
Dòng điện áp 40,75 V ~ 5,25 V
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp 32-EDIP
Khả năng ghi nhớ 1M (128K x 8)
Loại bộ nhớ NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tốc độ 70n
Thời gian truy cập 70 ns
Mô hình-ký ức RAM
Nhiệt độ hoạt động tối đa + 70 C
Phạm vi nhiệt độ hoạt động 0 C
Dòng điện cung cấp hoạt động 85 mA
Loại giao diện Cùng nhau
Tổ chức 128k x 8
Part-#-Aliases 90-1245A+B70 DS1245AB
Data-Bus-Width 8 bit
Điện áp cung cấp tối đa 5.25 V
Điện áp cung cấp-min 4.75 V
Hộp gói EDIP-32
Thành phần tương thích chức năngHình thức, Bao bì,Điều kiện tương thích chức năng
Phần của nhà sản xuất# Mô tả Nhà sản xuất So sánh
DS1245Y-70+
Bộ nhớ
Mô-đun SRAM không dễ bay hơi, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, phù hợp với ROHS, DIP-32 Các sản phẩm tích hợp Maxim DS1245AB-70+ so với DS1245Y-70+
DS1245AB-70IND
Bộ nhớ
128KX8 Non-Volatile SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 Inch, MODULE mở rộng, DIP-32 Rochester Electronics LLC DS1245AB-70+ so với DS1245AB-70IND
DS1245Y-70IND
Bộ nhớ
128KX8 Non-Volatile SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 Inch, MODULE mở rộng, DIP-32 Rochester Electronics LLC DS1245AB-70+ so với DS1245Y-70IND
M48Z128Y-70PM1
Bộ nhớ
128KX8 Non-Volatile SRAM MODULE, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 STMicroelectronics DS1245AB-70+ so với M48Z128Y-70PM1
DS1245Y-70
Bộ nhớ
Mô-đun SRAM không dễ bay hơi, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 inch, MODULE EXTENDED, DIP-32 Các sản phẩm tích hợp Maxim DS1245AB-70+ so với DS1245Y-70
DS1245AB-70
Bộ nhớ
Mô-đun SRAM không dễ bay hơi, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 Dallas Semiconductor DS1245AB-70+ so với DS1245AB-70
DS1245Y-70IND+
Bộ nhớ
Mô-đun SRAM không dễ bay hơi, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, phù hợp với ROHS, DIP-32 Các sản phẩm tích hợp Maxim DS1245AB-70+ so với DS1245Y-70IND+
DS1245AB-70IND+
Bộ nhớ
Mô-đun SRAM không dễ bay hơi, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, phù hợp với ROHS, DIP-32 Các sản phẩm tích hợp Maxim DS1245AB-70+ so với DS1245AB-70IND+
M48Z128-70PM1
Bộ nhớ
128KX8 Non-Volatile SRAM MODULE, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 STMicroelectronics DS1245AB-70+ so với M48Z128-70PM1

Mô tả

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Bộ nhớ IC 1Mb (128K x 8) Song song 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM Không dễ bay hơi