IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc.

Các đặc điểm

● Điện áp tiêu chuẩn: VDD và VDDQ = 1,5V ± 0,075V
● Điện áp thấp (L): VDD và VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- Khả năng tương thích ngược với 1.5V
● Tốc độ truyền dữ liệu tốc độ cao với hệ thống
tần số lên đến 933 MHz
● 8 ngân hàng nội bộ để hoạt động đồng thời
● Kiến trúc pre-fetch 8n-bit
● Độ trễ CAS có thể lập trình
● Độ trễ bổ sung có thể lập trình: 0, CL-1, CL-2
● Tạm thời ghi CAS có thể lập trình (CWL) dựa trên tCK
● Độ dài bùng phát có thể lập trình: 4 và 8
● Lưu trình bùng nổ có thể lập trình được: Lưu trình hoặc trộn
● Chuyển BL ngay lập tức
● Tự cập nhật tự động (ASR)
● Nhiệt độ tự làm mới (SRT)
● Khoảng thời gian làm mới:
7.8 us (8192 chu kỳ/64 ms) Tc= -40°C đến 85°C
3.9 us (8192 chu kỳ / 32 ms) Tc= 85 °C đến 105 °C
● Tự làm mới một phần mảng
● Kích pin RESET không đồng bộ
● TDQS (Termination Data Strobe) được hỗ trợ (chỉ x8)
● OCD (sự điều chỉnh trở ngại của trình điều khiển ngoài chip)
● ODT động (On-Die Termination)
● Sức mạnh của lái xe: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ′′)
● Viết leveling
● Tối đa 200 MHz trong chế độ tắt DLL
● Nhiệt độ hoạt động:
Thương mại (TC = 0 °C đến +95 °C)
Công nghiệp (TC = -40 °C đến +95 °C)
Ô tô, A1 (TC = -40 °C đến +95 °C)
Ô tô, A2 (TC = -40 °C đến +105 °C)