Tất cả sản phẩm
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Điện tử Winbond
| Hàng hiệu | Winbond Electronics |
|---|---|
| Số mô hình | W949D6DBHX5I |
| Số lượng đặt hàng tối thiểu | 1 |
| Giá bán | Based on current price |
| chi tiết đóng gói | túi chống tĩnh và hộp bìa |
| Thời gian giao hàng | 3-5 ngày làm việc |
| Điều khoản thanh toán | T/T |
| Khả năng cung cấp | Trong kho |
Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.
WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com
Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.
xThông tin chi tiết sản phẩm
| Loại bộ nhớ | Bay hơi | Định dạng bộ nhớ | DRAM |
|---|---|---|---|
| Công nghệ | SDRAM - LPDDR di động | Kích thước bộ nhớ | 512Mbit |
| tổ chức bộ nhớ | 32M x 16 | Giao diện bộ nhớ | song song |
| Tần số đồng hồ | 200 MHz | Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang | 15ns |
| Thời gian truy cập | 5 giây | Điện áp - Cung cấp | 1,7V ~ 1,95V |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Loại lắp đặt | Mặt đất |
| Bao bì / Vỏ | 60-TFBGA | Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp | 60-VFBGA (8x9) |
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W949D6DBHX5I | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D6KBHX5E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5E TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5E | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5E | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 IT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:A | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 AT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 AT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-75:A | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H64M16LFBF-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5I | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX6E | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 AIT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AIT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 AIT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 WT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX6E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5E TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AAT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5G | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5J | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6G | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA |
Mô tả sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
Mô tả chung
W9425G6DH là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ CMOS Double Data Rate (DDR SDRAM), được tổ chức như 4,194Sử dụng kiến trúc đường ống và công nghệ quy trình 0,11 μm, W9425G6DH cung cấp băng thông dữ liệu lên đến 500M từ mỗi giây (-4).Để hoàn toàn tuân thủ tiêu chuẩn công nghiệp máy tính cá nhân, W9425G6DH được phân loại thành bốn cấp tốc độ: -4, -5, -6 và -75. -4 phù hợp với thông số kỹ thuật DDR500 / CL3. -5 phù hợp với thông số kỹ thuật DDR400 / CL3.-6 phù hợp với DDR333/CL2.5 đặc điểm kỹ thuật (độ -6I được đảm bảo hỗ trợ -40 °C ~ 85 °C). -75 phù hợp với đặc điểm kỹ thuật DDR266/CL2 (độ 75I được đảm bảo hỗ trợ -40 °C ~ 85 °C).
Các đặc điểm
• Điện 2.5V ± 0,2V cho DDR266/DDR333• 2,6V ± 0,1V Cung cấp điện cho DDR400/DDR500
• Tần số đồng hồ lên đến 250 MHz
• Kiến trúc tỷ lệ dữ liệu kép; hai chuyển dữ liệu mỗi chu kỳ đồng hồ
• Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CLK và CLK)
• DQS được sắp xếp cạnh với dữ liệu cho Đọc; trung tâm được sắp xếp với dữ liệu cho Viết
• CAS Latency: 2, 2,5 và 3
• Chiều dài bùng nổ: 2, 4 và 8
• Tự động làm mới và tự làm mới
• Tắt điện sạc trước và tắt điện hoạt động
• Viết Data Mask
• Viết Latency = 1
• Khoảng thời gian làm mới 7, 8μS (8K / 64 mS làm mới)
• Chu kỳ làm mới bùng nổ tối đa: 8
• Giao diện: SSTL_2
• Được đóng gói theo TSOP II 66-pin, 400 mil, pitch pin 0, 65 mm, sử dụng Pb miễn phí và phù hợp với RoHS
Thông số kỹ thuật
| Thuộc tính | Giá trị thuộc tính |
|---|---|
| Nhà sản xuất | Winbond Electronics |
| Nhóm sản phẩm | Bộ nhớ IC |
| Dòng | - |
| Bao bì | Bao bì thay thế khay |
| Hộp gói | 60-TFBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Giao diện | Cùng nhau |
| Dòng điện áp | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Bao bì thiết bị của nhà cung cấp | 60-VFBGA (8x9) |
| Khả năng ghi nhớ | 512M (32M x 16) |
| Loại bộ nhớ | SDRAM LPDDR di động |
| Tốc độ | 200MHz |
| Mô hình-ký ức | RAM |
Mô tả
SDRAM - Bộ nhớ LPDDR di động IC 512Mb (32M x 16) Song song 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-pin VFBGA
Sản phẩm khuyến cáo
