IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

Hàng hiệu ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Số mô hình IS42S16320F-7BLI
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1
Giá bán Based on current price
chi tiết đóng gói túi chống tĩnh và hộp bìa
Thời gian giao hàng 3-5 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán T/T
Khả năng cung cấp Trong kho

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ Bay hơi Định dạng bộ nhớ DRAM
Công nghệ SDRAM Kích thước bộ nhớ 512Mbit
tổ chức bộ nhớ 32M x 16 Giao diện bộ nhớ song song
Tần số đồng hồ 143 MHz Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang -
Thời gian truy cập 5,4 ns Điện áp - Cung cấp 3V ~ 3.6V
Nhiệt độ hoạt động -40 °C ~ 85 °C (TA) Loại lắp đặt Mặt đất
Bao bì / Vỏ 54-TFBGA Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp 54-TW-BGA (8x13)
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number Description
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160B-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-6B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-6B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBL IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-75EBL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320B-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42VM16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320B-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS45S16320B-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
Để lại lời nhắn
Part Number Description
Mô tả sản phẩm

Chi tiết sản phẩm

Tổng quan về thiết bị

ISSIS 512Mb đồng bộ DRAM đạt được chuyển dữ liệu tốc độ cao bằng cách sử dụng kiến trúc đường ống.

Các đặc điểm

• Tần số đồng hồ: 200, 166, 143 MHz
• Hoàn toàn đồng bộ; tất cả các tín hiệu tham chiếu đến một cạnh đồng hồ dương tính
• Ngân hàng nội bộ để ẩn hàng truy cập / sạc trước
• Nguồn cung cấp điện: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5
• Giao diện LVTTL
• Độ dài bùng nổ có thể lập trình được (1, 2, 4, 8, toàn trang)
• Lưu lượng phát nổ có thể lập trình: Lưu lượng / Interleave
• Tự động làm mới (CBR)
• Tự làm mới bản thân
• Chu kỳ làm mới 8K mỗi 64 ms
• Địa chỉ cột ngẫu nhiên mỗi chu kỳ đồng hồ
• Độ trễ CAS có thể lập trình (2, 3 giờ)
• Khả năng đọc / ghi và đọc / ghi đơn
• Kết thúc bùng nổ bằng lệnh dừng bùng nổ và sạc trước
• Gói: x8/x16: 54 pin TSOP-II, 54 bóng TF-BGA (chỉ x16) x32: 90 bóng TF-BGA
• Phạm vi nhiệt độ: Thương mại (0oC đến + 70oC) Công nghiệp (-40oC đến + 85oC) Ô tô, A1 (-40oC đến + 85oC) Ô tô, A2 (-40oC đến + 105oC)

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính Giá trị thuộc tính
Nhà sản xuất ISSI
Nhóm sản phẩm Bộ nhớ IC
Dòng -
Bao bì Bao bì thay thế khay
Hộp gói 54-TFBGA
Nhiệt độ hoạt động -40 °C ~ 85 °C (TA)
Giao diện Cùng nhau
Dòng điện áp 3V ~ 3.6V
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp 54-TWBGA (13x8)
Khả năng ghi nhớ 512M (32M x 16)
Loại bộ nhớ SDRAM
Tốc độ 143MHz
Mô hình-ký ức RAM

Mô tả

Bộ nhớ SDRAM IC 512Mb (32M x 16) Song song 143MHz 5.4ns 54-TWBGA (13x8)
Chip DRAM SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54 pin TW-BGA
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 quả bóng BGA (8mmx13mm), RoHS, IT