MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.

Hàng hiệu Micron Technology Inc.
Số mô hình MT41J128M16HA-125 CNTT:Đ
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1
Giá bán Based on current price
chi tiết đóng gói túi chống tĩnh và hộp bìa
Thời gian giao hàng 3-5 ngày làm việc
Điều khoản thanh toán T/T
Khả năng cung cấp Trong kho

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ Bay hơi Định dạng bộ nhớ DRAM
Công nghệ SDRAM - DDR3 Kích thước bộ nhớ 2Gbit
tổ chức bộ nhớ 128M x 16 Giao diện bộ nhớ song song
Tần số đồng hồ 800 MHz Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang -
Thời gian truy cập 13,75 ns Điện áp - Cung cấp 1.425V ~ 1.575V
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 95°C (TC) Loại lắp đặt Mặt đất
Bao bì / Vỏ 96-TFBGA Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp 96-FBGA (9x14)
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number Description
MT41K256M16TW-107 AUT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-107G:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AAT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AIT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D TR IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-107G:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Để lại lời nhắn
Part Number Description
Mô tả sản phẩm

Chi tiết sản phẩm

DDR3 SDRAM

2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Đặc điểm

• VDD= VDDQ= 1,5V ± 0,075V
• 1.5V đẩy / kéo I / O kết thúc ở giữa
• Dấu hiệu dữ liệu hai chiều khác biệt
• Kiến trúc prefetch 8n-bit
• Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CK, CK#)
• 8 ngân hàng nội bộ
• Kết thúc on-die danh nghĩa và động (ODT) cho tín hiệu dữ liệu, đèn chùm và mặt nạ
• CAS READ latency có thể lập trình (CL)
• Thời gian trễ CAS (AL)
• Tạm thời ghi CAS có thể lập trình (CWL) dựa trên tCK
• Độ dài bùng cố định (BL) 8 và bùng cắt (BC) 4 (thông qua bộ đăng ký chế độ [MRS])
• Có thể chọn BC4 hoặc BL8 trên bay (OTF)
• Chế độ tự làm mới
• TC từ 0 °C đến 95 °C
64ms, 8192 chu kỳ làm mới ở 0 °C đến 85 °C
32ms, 8192 chu kỳ làm mới ở 85 °C đến 95 °C
• Nhiệt độ tự làm mới (SRT)
• Viết bằng
• Sổ đăng ký đa mục đích
• Định chuẩn trình điều khiển đầu ra

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính Giá trị thuộc tính
Nhà sản xuất Micron Technology Inc.
Nhóm sản phẩm Bộ nhớ IC
Dòng -
Bao bì Thẻ
Hộp gói 96-TFBGA
Nhiệt độ hoạt động -40 °C ~ 95 °C (TC)
Giao diện Cùng nhau
Dòng điện áp 1.425 V ~ 1.575 V
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp 96-FBGA (9x14)
Khả năng ghi nhớ 2G (128M x 16)
Loại bộ nhớ DDR3 SDRAM
Tốc độ 800MHz
Mô hình-ký ức RAM

Mô tả

SDRAM - Bộ nhớ DDR3 IC 2Gb (128M x 16) Song song 800MHz 13.75ns 96-FBGA (9x14)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96 pin FBGA