Tất cả sản phẩm
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.
WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com
Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.
xThông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ | Bay hơi | Định dạng bộ nhớ | DRAM |
---|---|---|---|
Công nghệ | SDRAM - DDR2 | Kích thước bộ nhớ | 1Gbit |
tổ chức bộ nhớ | 64M x 16 | Giao diện bộ nhớ | song song |
Tần số đồng hồ | 400 MHz | Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang | 15ns |
Thời gian truy cập | 400 giây | Điện áp - Cung cấp | 1.7V ~ 1.9V |
Nhiệt độ hoạt động | 0°C ~ 85°C (TC) | Loại lắp đặt | Mặt đất |
Bao bì / Vỏ | 84-TFBGA | Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp | 84-TWBGA (8x12.5) |
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43DR16320E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA1-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA1 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA2-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA2 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640A-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-5BBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-5BBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25EBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25EBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
Mô tả sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
Các đặc điểm
• Điện áp tiêu chuẩn: VDD và VDDQ = 1,5V ± 0,075V• Điện áp thấp (L): VDD và VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Khả năng tương thích ngược với 1.5V
• Tốc độ truyền dữ liệu tốc độ cao với tần số hệ thống lên đến 933 MHz
• 8 ngân hàng nội bộ để hoạt động đồng thời
• Kiến trúc pre-fetch 8n-Bit
• Độ trễ CAS có thể lập trình
• Lưu ý bổ sung có thể lập trình: 0, CL-1, CL-2
• Tạm thời ghi CAS có thể lập trình (CWL) dựa trên tCK
• Độ dài bùng phát có thể lập trình: 4 và 8
• Dòng phát nổ có thể lập trình: Dòng hoặc Interleave
• Chuyển BL ngay lập tức
• Tự làm mới tự động (ASR)
• Nhiệt độ tự làm mới (SRT)
• Khoảng thời gian làm mới:
7.8 us (8192 chu kỳ/64 ms) Tc= -40°C đến 85°C
3.9 us (8192 chu kỳ / 32 ms) Tc= 85 °C đến 105 °C
• Tự làm mới một phần
• Kích pin RESET không đồng bộ
• TDQS (Termination Data Strobe) được hỗ trợ (chỉ x8)
• OCD (sự điều chỉnh trở ngại của trình điều khiển ngoài chip)
• Dynamic ODT (On-Die Termination)
• Sức mạnh của trình điều khiển: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Viết leveling
• Tối đa 200 MHz trong chế độ tắt DLL
• Nhiệt độ hoạt động:
Thương mại (TC = 0 °C đến +95 °C)
Công nghiệp (TC = -40 °C đến +95 °C)
Ô tô, A1 (TC = -40 °C đến +95 °C)
Ô tô, A2 (TC = -40 °C đến +105 °C)
Thông số kỹ thuật
Thuộc tính | Giá trị thuộc tính |
---|---|
Nhà sản xuất | ISSI |
Nhóm sản phẩm | Bộ nhớ IC |
Nhà sản xuất | ISSI |
Nhóm sản phẩm | DRAM |
RoHS | Chi tiết |
Thương hiệu | ISSI |
Phần của nhà sản xuất# | Mô tả | Nhà sản xuất | So sánh |
MT47H64M16NF-25E:M Bộ nhớ |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, phù hợp với ROHS, FBGA-84 | Micron Technology Inc. | IS43DR16640C-25DBL so với MT47H64M16NF-25E:M |
MT47H64M16NF-25EIT:M Bộ nhớ |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, phù hợp với ROHS, FBGA-84 | Micron Technology Inc. | IS43DR16640C-25DBL so với MT47H64M16NF-25EIT:M |
IS43DR16640C-25DBLA2 Bộ nhớ |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, không có chì, TWBGA-84 | Integrated Silicon Solution Inc. | IS43DR16640C-25DBL so với IS43DR16640C-25DBLA2 |
IS43DR16640C-25DBLA1 Bộ nhớ |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, không có chì, TWBGA-84 | Integrated Silicon Solution Inc. | IS43DR16640C-25DBL so với IS43DR16640C-25DBLA1 |
Mô tả
SDRAM - Bộ nhớ DDR2 IC 1Gb (64M x 16) 400MHz song song 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84 pin TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16
Sản phẩm khuyến cáo