Tất cả sản phẩm
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.
WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com
Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.
xThông tin chi tiết sản phẩm
Loại bộ nhớ | Bay hơi | Định dạng bộ nhớ | DRAM |
---|---|---|---|
Công nghệ | SDRAM - LPDDR di động | Kích thước bộ nhớ | 512Mbit |
tổ chức bộ nhớ | 16M x 32 | Giao diện bộ nhớ | song song |
Tần số đồng hồ | 200 MHz | Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang | 15ns |
Thời gian truy cập | 5 giây | Điện áp - Cung cấp | 1,7V ~ 1,95V |
Nhiệt độ hoạt động | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Loại lắp đặt | Mặt đất |
Bao bì / Vỏ | 90-VFBGA | Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp | 90-VFBGA (8x13) |
Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-8 IT TR | IC SDRAM 256MB 125MHZ 90-VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2F5-7:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-8 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-10 | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-10 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-10 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-10 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-8 | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-8 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-8 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-8 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-10 | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-10 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-10 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-10 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-8 | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-8 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-8 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-8 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-8 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-8 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-8 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-7:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2F5-6:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2F5-6:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-10 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-10:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFF5-10:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFF5-8:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFF5-8:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2B5-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2B5-7 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2B5-7 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2B5-7 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2F5-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2F5-7 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2F5-7 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-8 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-8 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-10 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-10:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-10:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-8 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-8 XT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-8:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-8:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFF5-10 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFF5-10:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFF5-8 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFF5-8:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFF5-8:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-8 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-8 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-8 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-75:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-7:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-6:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75 IT:G TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75:G TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-5 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-6 AT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-5 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-5:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-5:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-6:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-6:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H16M32LFB5-5 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H16M32LFB5-6 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H32M32LFB5-5 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
MT46H32M32LFB5-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-5:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-6 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-6:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-6 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-6:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32LFB5-75 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-6 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-6:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-75 AT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-75 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-75:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-6 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75 AT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G | IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC2M32B2B5-7:G | IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G TR | IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
Mô tả sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
DDR SDRAM năng lượng thấp di động
Đặc điểm
• VDD/VDDQ = 1,70 ≈ 1,95V• Bi-directional dữ liệu strobe mỗi byte của dữ liệu (DQS)
• Kiến trúc tốc độ dữ liệu kép (DDR) nội bộ, đường ống dẫn; hai truy cập dữ liệu mỗi chu kỳ đồng hồ
• Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CK và CK#)
• Các lệnh được nhập vào mỗi cạnh CK tích cực
• DQS cạnh phù hợp với dữ liệu cho READ; trung tâm phù hợp với dữ liệu cho WRITE
• 4 ngân hàng nội bộ để hoạt động đồng thời
• Mặt nạ dữ liệu (DM) để che giấu dữ liệu ghi; một mặt nạ mỗi byte
• Độ dài bùng nổ có thể lập trình (BL): 2, 4, 8 hoặc 16
• Tùy chọn sạc tự động đồng thời được hỗ trợ
• Chế độ tự động cập nhật và tự cập nhật
• 1.8V đầu vào tương thích LVCMOS
• Tự làm mới bằng nhiệt độ bù đắp (TCSR)
• Tự làm mới mảng một phần (PASR)
• Thiết bị tắt điện sâu (DPD)
• Đăng ký đọc trạng thái (SRR)
• Sức mạnh ổ đĩa đầu ra có thể lựa chọn (DS)
• Khả năng dừng đồng hồ
• 64ms làm mới, 32ms cho nhiệt độ ô tô
Thông số kỹ thuật
Thuộc tính | Giá trị thuộc tính |
---|---|
Nhà sản xuất | Micron Technology Inc. |
Nhóm sản phẩm | Bộ nhớ IC |
Dòng | - |
Bao bì | Bao bì thay thế băng và cuộn (TR) |
Hộp gói | 90-VFBGA |
Nhiệt độ hoạt động | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Giao diện | Cùng nhau |
Dòng điện áp | 1.7 V ~ 1.95 V |
Bao bì thiết bị của nhà cung cấp | 90-VFBGA (8x13) |
Khả năng ghi nhớ | 512M (16M x 32) |
Loại bộ nhớ | SDRAM LPDDR di động |
Tốc độ | 200MHz |
Mô hình-ký ức | RAM |
Mô tả
SDRAM - Bộ nhớ LPDDR di động IC 512Mb (16M x 32) Song song 200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
Sản phẩm khuyến cáo