SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Công nghệ vi mạch

Mô tả sản phẩm

SST38VF166 bao gồm ba ngân hàng bộ nhớ, 2 EEPROM chế độ flash 512K x16 bit mỗi bộ cộng với một E2PROM có thể thay đổi từ 4K x16 bit được sản xuất bằng SSTCông nghệ SuperFlash hiệu suất cao. SST38VF166 xóa và chương trình với một nguồn điện duy nhất.Thiết bị phù hợp với (đề xuất) JEDEC tiêu chuẩn pinout cho các bộ nhớ toàn từ.

Các đặc điểm:

• Hoạt động đọc và ghi đơn 2.7-3.6V
• Lắp đặt các ngân hàng bộ nhớ riêng biệt cho mã hoặc dữ liệu
Khả năng đọc và viết đồng thời
• Có độ tin cậy cao hơn
¢ Khả năng chịu đựng:
Ngân hàng E2 - 500.000 chu kỳ (thường)
Ngân hàng Flash - 100.000 chu kỳ (thường)
¢ Lưu trữ dữ liệu hơn 100 năm
• Tiêu thụ năng lượng thấp
️ Điện hoạt động, đọc: 15 mA (thường)
️ Điện hoạt động, đọc đồng thời trong khi viết: 40 mA (thường)
Điện dự phòng: 3 μA (thường)
Hiện tại chế độ năng lượng thấp tự động: 3 μA (thường)
• Hoạt động ghi nhanh
Flash Bank-Erase + Program: 8 giây (thường)
Flash Block-Erase + Program: 500 ms (thường)
Flash Sector-Erase + Program: 30 ms (thường)
E2 bank Word-Write: 9 ms (thường)
• Sửa chữa xóa, chương trình, ghi thời gian

• Thời gian truy cập đọc
70 ns
• Địa chỉ và dữ liệu bị khóa
• Khám phá kết thúc văn bản
️ Toggle Bit
Dữ liệu# Khảo sát
• Ngân hàng E2:
Word-Write (Tự động xóa trước khi chương trình)
️ Sector-Erase (32 Words) + Word-Program (tương tự như Flash bank)
• Flash Bank: Hai kích thước nhỏ của các phần tử xóa
1 KWord cho mỗi lĩnh vực hoặc 32 KWord cho mỗi khối
Xóa bất kỳ phần tử nào trước Word-Program
• Khả năng tương thích I/O CMOS
• Bộ lệnh tiêu chuẩn JEDEC
• Các gói có sẵn
️ 48 pin TSOP (12mm x 20mm)
• Bảo vệ dữ liệu phần cứng và phần mềm liên tục (SDP)
• Khu vực E2 có thể lập trình một lần (OTP)