S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Công nghệ Infineon

Mô tả chung

Gia đình thiết bị S29GL-N là bộ nhớ Flash công suất đơn 3.0-Volt được sản xuất bằng công nghệ MirrorBit 110 nm. S29GL064N là một thiết bị 64 Mb được tổ chức như 4,194,304 từ hoặc 8,388S29GL032N là một thiết bị 32 Mb được tổ chức thành 2,097, 152 từ hoặc 4,194Tùy thuộc vào số mô hình, các thiết bị chỉ có bus dữ liệu rộng 16 bit, hoặc bus dữ liệu rộng 16 bit cũng có thể hoạt động như bus dữ liệu rộng 8 bit bằng cách sử dụng đầu vào BYTE #.Các thiết bị có thể được lập trình trong hệ thống máy chủ hoặc trong các lập trình viên EPROM tiêu chuẩn.

Đặc điểm đặc biệt

Ưu điểm kiến trúc
■ Hoạt động nguồn điện duy nhất
■ Sản xuất trên công nghệ quy trình MirrorBit 110 nm
■ Khu vực Silicon Secure Sector
️ Khu vực 128 từ/256 byte để xác định vĩnh viễn, an toàn thông qua số chuỗi điện tử ngẫu nhiên 8 từ/16 byte, có thể truy cập thông qua chuỗi lệnh
- Được lập trình và khóa tại nhà máy hoặc bởi khách hàng
■ Kiến trúc ngành linh hoạt
64Mb (mô hình khu vực đồng bộ): Một trăm hai mươi tám 32 Kword (64 KB) khu vực
64 Mb (mô hình lĩnh vực khởi động): Một trăm hai mươi bảy 32 Kword (64 KB) lĩnh vực + tám 4Kword (8KB) lĩnh vực khởi động
32 Mb (mô hình ngành thống nhất): 64 lĩnh vực 32Kword (64 KB)
32 Mb (mô hình phân khúc khởi động): 63 phân khúc 32Kword (64 KB) + tám phân khúc khởi động 4Kword (8KB)
■ Kiểm soát đa năng/OTM được cải thiện
Tất cả các mức đầu vào (địa chỉ, điều khiển, và DQ mức đầu vào) và đầu ra được xác định bởi điện áp trên đầu vào VIO.
■ Hoàn hợp với các tiêu chuẩn JEDEC
Cung cấp tương thích pinout và phần mềm cho đèn flash nguồn điện duy nhất, và bảo vệ ghi vô tình cao hơn
■ 100.000 chu kỳ xóa điển hình cho mỗi ngành
■ Lưu trữ dữ liệu 20 năm

Đặc điểm hiệu suất

■ Hiệu suất cao
Thời gian truy cập 90 ns
️ 8 từ / 16 byte trang đọc bộ đệm
Thời gian đọc trang 25 ns
- 16 từ / 32 byte viết bộ đệm giảm thời gian lập trình tổng thể cho cập nhật nhiều từ

■ Tiêu thụ năng lượng thấp

25 mA dòng đọc ban đầu điển hình, 1 mA dòng đọc trang điển hình
- 50 mA dòng xóa điển hình / chương trình
– 1 µA typical standby mode current
■ Các lựa chọn gói
️ 48 pin TSOP
️ 56 pin TSOP
BGA tăng cường 64 quả
BGA 48 quả bóng

Tính năng phần mềm và phần cứng

■ Các tính năng phần mềm
Bảo vệ khu vực nâng cao: cung cấp bảo vệ khu vực bền vững và bảo vệ khu vực mật khẩu
Chương trình tạm dừng và tiếp tục: đọc các lĩnh vực khác trước khi hoàn thành hoạt động lập trình
Xóa tạm dừng & tiếp tục: đọc / chương trình các lĩnh vực khác trước khi một hoạt động xóa được hoàn thành
Dữ liệu # thăm dò & xoay bit cung cấp trạng thái
CFI (Common Flash Interface) phù hợp: cho phép hệ thống máy chủ xác định và chứa nhiều thiết bị flash
️ Lệnh Unlock Bypass Program giảm thời gian lập trình nhiều từ
■ Tính năng phần cứng
WP # / ACC đầu vào tăng tốc thời gian lập trình (khi áp dụng điện áp cao) cho thông lượng lớn hơn trong quá trình sản xuất hệ thống.Bảo vệ khu vực đầu tiên hoặc cuối cùng bất kể cài đặt bảo vệ khu vực trên các mô hình khu vực thống nhất
¢ Hardware reset input (RESET#) thiết bị thiết lập lại
Khả năng phát ra Ready/Busy# (RY/BY#) phát hiện chương trình hoặc xóa chu kỳ hoàn thành