S29GL512S10DHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Công nghệ Infineon

GL-S MirrorBit® EclipseTM Flash Non-Volatile Memory Family

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)
S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
CMOS 3.0 Volt Core với I/O đa năng

Mô tả chung

Spansion® S29GL01G/512/256/128S là các sản phẩm flash MirrorBit Eclipse được sản xuất trên công nghệ quy trình 65 nm.Những thiết bị này cung cấp một thời gian truy cập trang nhanh chóng nhanh như 15 ns với thời gian truy cập ngẫu nhiên tương ứng nhanh như 90 nsChúng có một Write Buffer cho phép tối đa 256 từ/512 byte được lập trình trong một hoạt động, kết quả là hiệu quả hơn
Điều này làm cho các thiết bị này lý tưởng cho các ứng dụng nhúng ngày nay đòi hỏi mật độ cao hơn, hiệu suất tốt hơn và tiêu thụ năng lượng thấp hơn.

Đặc điểm đặc biệt

Công nghệ MirrorBit Eclipse 65 nm
¢ Một nguồn cấp (VCC) để đọc / chương trình / xóa (2.7V đến 3.6V)
¢ Tính năng I/O đa năng
Phạm vi điện áp I/O rộng (VIO): 1,65V đến VCC
Đường bus dữ liệu x16
Đọc trang 32 byte không đồng bộ
¥512-byte Programming Buffer
️ Lập trình nhiều lần trang, tối đa 512 byte
¢ Một từ và nhiều chương trình về cùng một lựa chọn từ
¢ Xóa khu vực
️ Các lĩnh vực đồng bộ 128kbyte
¢ Ngừng và tiếp tục lệnh cho chương trình và xóa các hoạt động
¢ Đăng ký trạng thái, thăm dò dữ liệu và phương pháp kẹp sẵn sàng / bận để xác định trạng thái thiết bị
¢ Bảo vệ lĩnh vực tiên tiến (ASP)
Các phương pháp bảo vệ dễ bay hơi và không dễ bay hơi cho mỗi lĩnh vực
¢ Phân biệt 1024-byte Một lần chương trình (OTP) mảng với hai khu vực khóa
Bảng tham số giao diện Flash chung (CFI)
️Phạm vi nhiệt độ
️ Công nghiệp (-40°C đến +85°C)
Trong cabin (-40°C đến +105°C)
-100.000 chu kỳ xóa cho bất kỳ ngành nào
¢làm lưu trữ dữ liệu 20 năm
¢ Tùy chọn đóng gói
️ 56 pin TSOP
️ 64 quả bóng LAA BGA tăng cường, 13 mm x 11 mm
️ 64 quả bóng LAE BGA tăng cường, 9 mm x 9 mm
- VBU 56 quả BGA củng cố, 9 mm x 7 mm