Trung Quốc MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - DDR4
Trung Quốc AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Công nghệ vi mạch

AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Công nghệ vi mạch

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
Trung Quốc MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: FLASH - CŨNG KHÔNG
Trung Quốc AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Công nghệ vi mạch

AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Công nghệ vi mạch

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
Trung Quốc CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Công nghệ Infineon

CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Công nghệ Infineon

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Không đồng bộ
Trung Quốc AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc.

AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: SRAM
Công nghệ: SRAM - Không đồng bộ
Trung Quốc IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - LPDDR2 di động
Trung Quốc AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Công nghệ vi mạch

AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Công nghệ vi mạch

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: EEPROM
Công nghệ: EEPROM
Trung Quốc AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL Công nghệ vi mạch 40VSOP

AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL Công nghệ vi mạch 40VSOP

Loại bộ nhớ: không bay hơi
Định dạng bộ nhớ: TỐC BIẾN
Công nghệ: TỐC BIẾN
Trung Quốc MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA Micron Technology Inc.

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA Micron Technology Inc.

Loại bộ nhớ: Bay hơi
Định dạng bộ nhớ: DRAM
Công nghệ: SDRAM - LPDDR4 di động
17 18 19 20 21 22 23 24